전자 기기의 소형화 및 고전력화 추세에 따라 방열은 성능 향상의 주요 걸림돌이 되고 있습니다. 이 문제 해결의 핵심은 열 저항을 줄이는 것입니다. 질화알루미늄은 높은 열전도도와 이상적인 입자 형태를 갖추고 있어 열 저항 감소에 탁월합니다. 폴리머 매트릭스에 효율적으로 통합되어 원활한 열 흐름 경로를 형성할 뿐...
최신 전자 기기에서 방열 인터페이스 재료(TIM)는 중요한 역할을 합니다. TIM은 열을 효율적으로 전달할 뿐만 아니라 실제 응용 분야의 까다로운 조건을 충족할 만큼 충분한 기계적 강도를 가져야 합니다. 방열 패드 또는 열 접착제로 사용하든, 장기간 사용 시 재료 변형, 균열 또는 피로 파괴와 같은 문제는 제품 신뢰성...
필러는 열 인터페이스 재료(TIM)의 핵심 성분으로, 열전도도, 기계적 특성 및 안정성을 향상시킵니다. 일반적으로 필러는 폴리머 또는 그리스 매트릭스 내에 분산된 고체 입자로, 열전달 효율을 향상시키는 역할을 합니다.
열 인터페이스 재료에서 필러의 역할:
열전도도 향상
기본 폴리머 또는 그리스 자체는 일반적으로 0...
다양한 종류의 문제에 직면하여 질화알루미늄 분말 시중에서 구할 수 있는 다양한 분말 중에서 어떻게 최선의 선택을 할 수 있을까요? 질화알루미늄 분말을 선택할 때 흔히 저지르는 실수는 입자 크기 분포를 무시하고 순도에만 집중하는 것입니다. 실제로 잘못된 입자 크기를 선택하면 소결이 어려워지거나, 열전도도 기준...
고성능을 찾고 있다면 질화알루미늄(AlN) 분말기술적인 매개변수인 "입자 크기 분포"는 간과할 수 없는 필수적인 요소입니다. 이는 단순히 데이터 시트에 나열된 복소수 숫자가 아니라 최종 제품의 성공 여부를 결정하는 숨겨진 코드입니다.
그렇다면 질화알루미늄 분말의 입자 크기 분포는 정확히 무엇일까요? 그리고 그것...
질화알루미늄(AlN) 세라믹은 반도체 및 5G 산업의 핵심 열 관리 솔루션으로 사용되는 고급 세라믹 소재입니다. 뛰어난 열전도도(170~230 W/mK)와 안정적인 전기 절연 특성은 핵심 특성인 소결 활성에 크게 좌우됩니다. 간단히 말해, 소결 활성은 고순도 AlN 분말 고온에서 효율적으로 고밀도화를 달성하여 전자 패키징, 히...
겉보기에 사소해 보이는 소재 문제가 전자 산업 전반의 발전을 가로막고 있습니다. 바로 열 관리입니다. 산화알루미늄(Al₂O₃)이나 질화규소(Si₃N₄)와 같은 기존 솔루션이 최신 기기의 방열 요구를 충족하는 데 어려움을 겪는 가운데, 질화알루미늄(AlN)이 핵심 솔루션으로 부상했습니다. AlN의 독특한 특성은 여러 첨단 기...
고급 AlN 분말은 알루미늄 질화물 산업의 초석으로, 낮은 산소 함량, 높은 비표면적, 좁은 입자 크기 분포, 우수한 소결 활성 및 내습성이 특징입니다.
분말의 산소 함량
이것은 중요한 지표입니다 고급 AlN 분말AlN의 산소는 주로 표면에 흡착된 산소에서 유래하며, 분말 입자를 코팅하는 Al₂O₃와 AlOOH의...
질화알루미늄(AlN) 기판 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 소재와 유사한 초고열전도도, 우수한 전기절연성, 열팽창 특성을 가지고 있어 다양한 분야에 널리 적용 가능합니다. 전자 제품 포장 산업.
중국 원자재 시장 선두주자 질화알루미늄 분말 샤먼 쥐츠 테크놀로지(Xiamen Juci Technology Co., Ltd.)는 연...
오늘날의 고전력, 고집적 전자 장치 시대에는 질화알루미늄(AlN) 세라믹 세 가지 핵심 장점으로 인해 최고의 패키징 소재로 각광받고 있습니다. 첫째, 뛰어난 열전도도(170~210W/m·K)는 기존 알루미나보다 6~8배 높아 5G 기지국, 전기차 및 기타 응용 분야의 열 문제를 효과적으로 해결합니다. 둘째, AlN의 열팽창...
질화알루미늄(AlN) 육각형 구조로 결정화되며, 순수한 형태에서는 일반적으로 청백색을 띠지만 실제로는 회색 또는 회백색을 띠는 경우가 많습니다. 고성능 첨단 세라믹 소재인 AlN은 탁월한 열전도도, 안정적인 전기 절연성, 낮은 유전율 및 유전 손실, 무독성, 그리고 실리콘과 동등한 열팽창 계수를 자랑합니다. 이러한...
질화알루미늄(AlN) 성능은 순도, 특히 산소(O), 탄소(C) 및 금속 불순물(Fe, Na 등)의 함량에 크게 좌우됩니다.
산소 불순물 → Al₂O₃ 또는 AlON 상을 형성하여 열전도도를 크게 감소시킵니다(산소가 1% 증가할 때마다 열전도도는 10~20 W/(m·K) 감소합니다).
금속 불순물 → 반도체 소자의 캐리어 이동도를...
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