세라믹 적층 제조의 기능성 소재 시스템에서 질화알루미늄(AlN)은 높은 열전도율과 우수한 전기 절연성을 동시에 갖춘 독특한 특성 덕분에 전자 기기의 열 방출 및 절연 문제를 해결하는 핵심 소재로 자리 잡았습니다. SLA 세라믹과 같은 적층 제조 기술을 통해 AlN은 복잡한 방열 구조 형성에 어려움을 겪던 기존 공정의 한계를 극복하여 전력 반도체 패키징, 5G 통신, 신에너지 자동차 전자 제어 시스템 등 다양한 분야에서 고밀도 패키징을 위한 효율적이고 실현 가능한 새로운 솔루션을 제공하고 있습니다.
질화알루미늄의 상온 열전도율은 다음과 같습니다. 170–220 W/(m·K)(이론값은 최대 320 W/(m·K))로, 알루미나 세라믹(18~35 W/(m·K))의 5~10배에 달하며 금속 알루미늄의 열전도율에 근접합니다. 한편, 체적 저항률은 매우 높습니다. 10¹⁴–10¹⁶ Ω·cm탁월한 전기 절연 성능을 나타냅니다. 이러한 독특한 "열 전도성이 뛰어나면서도 전기 절연성이 우수한" 특성 덕분에 이 소재는 핵심 기판 재료로 사용됩니다. AlN 세라믹 기판 그리고 AlN 방열판IGBT 모듈 패키징 및 LED 방열 기판 제조에 널리 사용됩니다.
1MHz에서 질화알루미늄의 유전 상수는 다음과 같습니다. 8.5–8.6유전 손실은 대략 입니다. (1–10)×10⁻⁴고주파 신호 전송 중 신호 감쇠 및 간섭을 효과적으로 줄여줍니다. 5G 기지국 RF 장치와 같은 제품에 사용됩니다. AlN 필터이러한 특성은 밀리미터파 주파수 대역(28/39GHz)에서 신호 안정성을 보장하여 고주파 통신에 안정적인 지원을 제공합니다.
질화알루미늄의 열팽창 계수는 대략 다음과 같습니다. 4.2–4.5×10⁻⁶/K(20~100°C에서) 이는 실리콘 칩의 온도(대략)와 매우 유사합니다. 2.6×10⁻⁶/K), SiC 전력 소자 및 GaN RF 소자에 적용됩니다. 이는 온도 사이클링 동안 발생하는 계면 응력을 효과적으로 줄여 칩 박리를 방지합니다. AlN 세라믹 기판따라서 이는 이상적인 소재입니다. 3세대 반도체 패키징.
질화알루미늄은 약 100°C까지 안정적으로 유지됩니다. 2200°C불활성 분위기 또는 진공 상태에서, 대략적인 항산화 온도에서 700~800°C공기 중에서 사용 가능하며, 뛰어난 내식성과 용융 금속 침식 저항성을 지니고 있어 다양한 가혹한 작동 환경에 적합합니다. 고온 동시 소성 세라믹(HTCC), AlN 구조 부품, 그리고 AlN 도가니.
요약하자면, 높은 열전도율, 우수한 전기 절연성, 낮은 유전 손실, 적절한 열팽창 계수, 탁월한 고온 저항성 및 화학적 안정성과 같은 핵심적인 장점을 지닌 질화알루미늄(AlN)은 전자 패키징 분야에서 없어서는 안 될 핵심 소재로 자리매김했습니다. 전력 반도체, 5G 통신, 신에너지 자동차 전자 제어 시스템과 같은 첨단 분야에서 대체 불가능한 역할을 수행하고 있습니다. 적층 제조 및 기타 기술이 지속적으로 발전함에 따라 AlN 세라믹 제품의 응용 분야는 더욱 확대될 것이며, 전자 기기의 소형화, 고밀도 집적화 및 고신뢰성 개발을 위한 핵심 소재로서의 역할을 꾸준히 수행할 것입니다.
샤먼 주시는 질화알루미늄 세라믹 기판, 질화알루미늄 분말 및 관련 제품을 생산합니다. 필요한 제품이 있으시면 언제든지 문의해 주십시오.
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