이트륨 산화물 "압박"으로 고급 알루미늄 질화물 시장에 역사적인 기회가 열리다

인공지능 컴퓨팅 파워 사슬에서 가장 과소평가되는 부분은 GPU나 광학 모듈이 아니라 하이엔드 프로세서입니다. 질화알루미늄(AlN) 세라믹그 아래에 숨겨져 있습니다. AlN은 170~230W/(m·K)의 열전도율을 달성하여 광학 모듈, HBM 메모리 및 웨이퍼 에칭 장비에 사용되는 정전기 척(ESC)의 열 방출에 필수적입니다.

산화이트륨(Y₂O₃)은 AlN의 구성 성분은 아니지만, 소결 공정에서 반드시 첨가해야 하는 핵심 요소입니다. 일반적인 첨가량은 0.5%에서 5% 사이이며, 주류 배합에서는 약 3%를 사용합니다. AlN 분말 표면은 산화에 매우 취약하여 열전도율을 크게 저해하는 산화알루미늄 경질막을 형성하는데, Y₂O₃는 1600°C 이상의 온도에서 이 산화알루미늄 층과 반응하여 YAG와 같은 산화이트륨 알루미네이트 입계상을 형성합니다. 액상 소결을 통해 Y₂O₃는 AlN을 99.2% 이상의 상대 밀도로 치밀화하는 동시에 입계 산소를 포획하여 높은 열전도율을 유지합니다. 3%~5%의 산화이트륨이 없으면 소결된 제품은 열전도율이 매우 낮은 세라믹이 됩니다.

중국은 전 세계 희토류 제련 및 분리 기술에서 지배적인 위치(약 70~90%)를 차지하고 있으며, 산화이트륨(Y₂O₃) 공급은 중국 수출에 크게 의존하고 있습니다. 최근 수출 통제가 강화되면서 해외 산화이트륨 가격이 급등했습니다. 일부 해외 고급 세라믹 생산 라인은 Y₂O₃ 재고량이 10~15일치에 불과해 고급 AlN 기판/HTCC 생산 능력을 25~30% 감축해야 했고, 납기 또한 기존 8~12주에서 20~24주 이상으로 늘어났습니다. 이러한 생산 차질은 국내 기술 검증에 있어 보기 드문 기회를 제공했습니다. AlN 분말 생산업체하위 1차 고객사들은 공급망 안정성을 확보하기 위해 국내 생산품 인증 절차를 가속화하고 있습니다. AlN 소재전례 없는 속도로 진행되어 검증 주기가 18개월 이상에서 10개월 이내로 단축되었습니다.

이러한 배경 속에서 국내 고품질 질화알루미늄 제품AlN 분말은 빠르게 소자 수준의 응용 분야로 확장되고 있습니다. 현재 고성능 AlN 분말의 국부화율은 약 4%~10%에 불과하지만, 고성능 소자 수준의 응용 분야에서는 국부화율이 크게 증가할 것으로 예상됩니다. AlN 세라믹 기판2024년 15% 미만에서 2026년 약 28~30%로 증가했으며, 중저가 부문에서는 이미 50%를 넘어섰습니다. 이 중, AlN 세라믹 기판800G/1.6T 고성능 광 모듈에서 대량 채택되어 열 방출 요구 사항을 충족하는 주류 솔루션이 되었습니다. 한편, 정전기 척(ESC) 절연층용 AlN해당 회사는 고급 반도체 에칭 장비에 대한 가속 검증 단계에 진입했습니다.

샤먼 JUCI는 현재 연간 700톤 규모의 AlN 분말 생산 ​​능력을 보유하고 있으며, 연말까지 1,200톤으로 확대할 계획입니다. 이는 분말부터 세라믹 부품에 이르기까지 전 공급망에 걸친 대체재 수요 증가에 효과적으로 대응할 수 있는 최적의 조건입니다. 당사는 글로벌 공급망 재편 속에서도 다운스트림 고객에게 "안정적인 공급, 최고 품질, 맞춤형" AlN 토탈 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 안정적인 생산 능력을 기반으로 업계 파트너들과 함께 컴퓨팅 시대의 역사적인 기회를 포착하고자 합니다.

샤먼 주시는 고순도 질화알루미늄 분말, 질화알루미늄 과립, 열전도성 충전재 및 질화알루미늄 세라믹 제조 전문 기업으로, 전 세계 고객으로부터 꾸준한 인정과 긍정적인 평가를 받고 있습니다. 필요한 제품이 있으시면 언제든지 문의해 주십시오.

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